Epitaxial antiperovskite/perovskite heterostructures for materials design

    포스텍, 원자구조 이미징 기술로 물질 합성 원리 규명

포스텍, 원자구조 이미징 기술로 물질 합성 원리 규명

Epitaxial antiperovskite/perovskite heterostructures for materials design

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– 강한 스핀홀 효과가 예상되는 Mn3GaN의 경우, ‘안티페롭스카이트’라는 난해한 결정 구조로 결정성이 훌륭한 단결정 Mn3GaN를 제조하는 것은 거의 불가능하였음.
– 결정성이 감소는 결정 대칭성을 감소하여 스핀홀 효과를 방해하기 때문.
– 계면 공학을 기반으로 원자 한 층의 독특한 원자 구조를 계면에 생성하여 완벽한 단결정의 Mn3GaN을 성장시키는 데 성공함.

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