연구팀은 제일원리 계산기법을 적용해 다양한 구조를 갖는 할로겐화물 페로브스카이트 물질들의 물성을 비교했다. 계산을 통해 다이머 구조의 Cs3Sb2I9 할로겐화물 페로브스카이트 소재의 경우 기존 페로브스카이트 소재들보다 빠른 속도의 동작 가능성을 찾아냈다.

실험적 검증을 위해 선정된 소재인 무기물 기반 할로겐화물 페로브스카이트 Cs3Sb2I9를 합성, 이를 메모리 소자에 적용했다.

개발된 메모리 소자는 20ns (1ns=10억분의 1초)의 동작 속도를 보였으며, 같은 조성의 다른 결정구조를 갖는 층상구조의 Cs3Sb2I9를 사용한 메모리 소자에 비하여 100배 이상의 빠른 속도로 동작하는 우수한 특성을 보였다.

연구팀은 “향후 고속 처리능력이 필요한 인공지능, 슈퍼컴퓨터 등 다양한 전자기기들에 응용될 수 있을 것으로 기대된다”고 밝혔다.

이번 연구는 국제학술지 ‘네이처 커뮤니케이션즈’ 10일자 온라인판에 게재됐다.