Research Highlights

[16 07월] 황현상 교수 연구실

Steep Slope Field-Effect Transistors with Ag/TiO2-Based Threshold Switching Device

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOL. 37, NO. 7, JULY 2016

관리자 | 2016.07.07 14:39 | 조회 1709






Abstract

In this letter, we demonstrate a steep slope field-effect
transistor (FET) using a threshold switching (TS) device.
The Ag/TiO2-based TS device reported in our previous work
was implemented in series with the drain region of a transistor.
Since the TS device has an abrupt transition between the
OFF- and ON-states and vice versa, the transistor has
a 5-mV/decade subthreshold slope and a high ON/OFF-current
ratio (I_ON/I_OFF) of >10^7 with a low drain voltage (0.3 V).
Furthermore, the threshold voltage (Vth,FET) of the transistor
can be tuned by controlling the thickness of the TS device.








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